امروزه پیشرفتهای تکنولوژی، باعث تسهیلاتی در زندگی انسان شده‌اند؛ ولی استفاده از آنها می‌تواند عوارض جانبی بر باروری داشته باشند.
تا کنون مطالعات زیادی در زمینه اثرات میدانهای الکترومغناطیسی بر باروری انسان صورت گرفته است که همگی نشان می‌دهد میدانهای الکترومغناطیسی با اثر بر کمیت و کیفیت اسپرم و میزان تستوسترون بر باروری تاثیر می‌گذارند.
در این تحقیقات، عوارض این میدانها بر رشد فولیکولها و تخمک‌گذاری در موشها و گاوها مشاهده شده است.
دکتر فرشته مهرآیین، دانشیار گروه آناتومی دانشکده پزشکی دانشگاه علوم پزشکی تهران نیز که طی تحقیق خود که به بررسی مقالات مربوط به سالهای ۲۰۱۰ تا ۲۰۱۳ در این باره پرداخته است، به این نتیجه دست یافته که عوارض اپی ژنتیک میدانهای الکترومغناطیسی در بیان ژن‌ها از طریق تغییر در فعالیت هیستون کیناز و فسفریلاسیون و دفسفوریلاسیون هیستونها در متافاز و آنافاز اثبات شده‌اند؛ بطوریکه کاهش فعالیت هیستون کیناز نقص در فرایند اسپرماتوژنز را به دنبال دارد.
بر اساس یافته‌های وی، میدانهای الکترومغناطیسی باعث افزایش اکسیداتیو استرس شده و این خود باعث تولید رادیکالهای آزاد در سلول می‌شود.
بر اساس بررسی‌های صورت گرفته توسط این پژوهشگر، مقالات و تحقیقات انجام شده طی سالهای یاد شده نشان داده‌اند که آسیب مستقیم دی ان ای و تغییر ساختار سلول، ناشی از افزایش اکسیداتیو استرس است و تخریب کروماتین به صورت بروز توده‌های کوچکی در سیتو پلاسم سلول در مرحله اینترفاز مشاهده شده است.
بنا بر این مطالعات، اثر میدانهای الکترو مغناطیسی باعث تغییر در مورفولوژی ، حرکت و تعداد اسپرم شده و همچنین بر روند تخمک‌گذاری تاثیر می‌گذارند و باعث ایجاد نقص در فولیکولها و ترشح هورمونها نیز می‌شوند.
نتایج این مطالعه حاکیست: در سطح مولکولی نیز تغییر در سطوح هیستون کیناز و تخریب دی ان ای رخ می‌دهد.